Ứng dụng:

• Đo độ dày màng mỏng và các hằng số quang học:

  • Chiết suất (n)

  • Hệ số tắt dần (k)

• Áp dụng cho lớp phủ ARC trên wafer silicon có bề mặt nhám hình kim tự tháp

Tính năng chính:

• Góc tới có thể điều chỉnh (12°–90°) để tối ưu tín hiệu cho wafer đa tinh thể

• Hệ quang tích hợp với hiệu chuẩn tự động, đảm bảo độ ổn định

• Bộ bù quay (rotating compensator) đo Psi (0°–90°) và Delta (0°–360°) → phân tích chính xác hiện tượng phân cực

• Vi hội tụ quang học (microspot) giúp thu tín hiệu tối ưu

• Giá đỡ mẫu phù hợp wafer kích thước 156 × 156 mm

• Tích hợp dây chuyền in-line cho kiểm soát quy trình nhanh chóng

• Phần mềm thông minh PVECS-compatible

• Điều chỉnh nghiêng và cao thủ công để tối đa tín hiệu phản xạ

Thông số kỹ thuật chính:

• Goniometer: điều chỉnh góc tới từ 55°–90° (thủ công)

• Bàn đặt mẫu: tương thích mẫu 156 × 156 mm