Tính năng & Thông số kỹ thuật:

• Kích thước wafer hỗ trợ: lên đến 300 mm, dùng cho wafer trần hoặc phủ lớp điện môi

• Xử lý wafer: thủ công hoặc tự động với bộ indexer Semilab

Tùy chọn nạp mẫu:

• Bộ indexer cassette cho 100–200 mm

• Bộ indexer 13 khe cho 300 mm, hỗ trợ cassette mở (100–300 mm)

• Bộ indexer 25 khe cho 300 mm, hỗ trợ FOUP, FOSB và cassette mở (100–300 mm)

Nguồn sáng & đầu đo:

• Nguồn laser bán dẫn với đầu đo SPV sử dụng 4 hoặc tùy chọn 8 laser

• Hỗ trợ:

  • Mapping toàn wafer

  • Đo điểm tại các vị trí xác định trước

• Độ nhạy điện trở mẫu: tới 0.01 Ω·cm

Tùy chọn mở rộng:

• Nguồn sáng bias tùy chọn:

  • Đèn IR LED cường độ cao

  • Đèn halogen 30 W

• Bộ tách sắt-bo tự động (Iron-Boron Dissociation Unit) → đo nồng độ sắt

• Hỗ trợ đo với độ chính xác cao tại các vị trí lập trình trước

Khả năng mở rộng:

Thiết bị có thể được tùy biến theo yêu cầu, bao gồm cả tính năng đo bổ sung và khả năng tự động hóa để phù hợp nhiều môi trường ứng dụng khác nhau.