Ứng dụng và Chế độ đo:

• Nhận diện khuyết tật hoạt động điện

• Các chế độ đo đa dạng:

  • Đo I-V, C-V kiểm tra chất lượng mẫu

  • Đo chuyển tiếp điện dung theo:

    • Nhiệt độ (temperature scan)

    • Tần số (frequency scan)

    • Chiều sâu (depth profiling)

    • Mặt cắt bắt giữ (capture cross section)

    • Phân bố trạng thái bề mặt MOS

  • Ghi tín hiệu chuyển tiếp để phân tích số hóa (Transient recorder)

  • I-DLS: tùy chọn cho mẫu dẫn điện cao

Hệ thống làm lạnh (Cryostat):

• Nhiệt độ linh hoạt từ 30K đến 800K tuỳ cấu hình:

  • Phòng lạnh chống rung thấp: 30K–400K (mở rộng đến 800K)

  • Hệ kín dùng khí He: 30K–325K

  • Loại ngâm bằng LN₂: 77K–450K

  • Hệ tự động LN₂: 80K–550K / 80K–800K

Lợi ích:

• Độ nhạy cực cao: phát hiện tạp chất ở mức 5×10⁷ nguyên tử/cm³

• Đo nhiệt độ chính xác <1 K, hỗ trợ tới 10 cảm biến

• Tự động hóa toàn phần: kiểm soát, đo đạc và xử lý tín hiệu chuyển tiếp điện dung nhờ phần mềm phân tích cải tiến