Thông số đo được:

• Nồng độ tạp chất và điện trở suất trên vật liệu silicon

• Hồ sơ mật độ hạt tải và điện trở suất

• Hồ sơ điện trở trên bán dẫn hợp chất, bao gồm:

  • AlGaAs, GaAs, GaN, Ga₂O₃, InP, SiC

• Cấu trúc AlGaN/GaN HEMT

• Độ sâu tiếp giáp (junction depth)

• Độ rộng vùng chuyển tiếp

• Điện trở tấm (sheet resistance)

• Liều lượng tạp chất kích hoạt điện

• Đo góc nghiêng mẫu (Bevel Angle Measurement – BAM)

Tính năng chính:

• Dải đo siêu rộng, ứng dụng linh hoạt

• Độ phân giải cao, không chồng lấn tín hiệu

• Tính toán vùng chuyển tiếp và độ sâu tiếp giáp

• BAM tích hợp (in-situ) trong quá trình đo

• Chuẩn bị sẵn sàng cho nâng cấp PCIV

• Bàn đo siêu chính xác, chống nhiễu cao

• Cách âm và chống rung chuyên nghiệp

• Giao diện cảm ứng, phần mềm điều khiển thân thiện với người dùng

Tùy chọn mở rộng:

• PCIV: dành cho vật liệu băng rộng & SOI, kết hợp đo hồ sơ SRP với phân tích dòng-áp (I-V)

• iPCIV: dành cho mẫu có điện trở rất cao, đo được ở dòng dưới 1E-11 A

• SLM (Shallow Layer Measurement): mở rộng kỹ thuật SRP cho lớp mỏng

• VPS (Variable Probe Spacing): tự động điều chỉnh khoảng cách đầu dò để đo điện trở tấm của lớp mỏng cách ly

• TCM (Buồng đo kiểm soát nhiệt độ)

• Signal Tower: tháp tín hiệu chuẩn công nghiệp báo trạng thái hệ thống

• Máy mài mẫu nghiêng độc lập (Bevel Polisher)